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電子技術(shù)基礎(chǔ)答案

電子技術(shù)基礎(chǔ)答案

  1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí)

  一、填空題

  1、(自由電子、空穴、N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體);(摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電粒子)

  2、(電子、空穴)

  3、(電子型半導(dǎo)體、五價(jià)元素、電子、空穴)

  4、(三價(jià)元素、空穴、自由電子)

  5、(單向?qū)щ娦、正極、負(fù)極、反向電壓、反向偏置)

  6、(較大、導(dǎo)通、很小、截止)

  二、判斷題

  1、× 2、√ 3、× 4、× 5、×

  三、選擇題

  1、C、 2、B、 3、C

  四、問答題

  1、答:PN結(jié)的主要特性是單向?qū)щ娦裕碢N結(jié)在加上正向電壓時(shí),通過PN結(jié)的正向電流較大,正向電阻較小,PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài);PN結(jié)在加上反向電壓時(shí),通過PN結(jié)的反向電流較小,反向電阻較大,PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。

  1.2 半導(dǎo)體二極管

  一、填空題

  1、(單向?qū)щ娦、正極或陽極、負(fù)極或陰極、 V、)

  2、(硅管、鍺管、點(diǎn)接觸型 、面接觸型、檢波二極管、開關(guān)二極管)

  3、(單向?qū)щ娦浴?.5、0.2、0.7、0.3)

  4、(最大正向電流IFM、最大反向工作電壓URM、最大反向電流IRM、一半或三分之一)

  5、(硅、穩(wěn)壓、鍺、開關(guān)、硅、整流、鍺、普通;)

  6、(過熱燒毀、反向擊穿)

  二、判斷題

  1、× 2、√ 3、× 4、× 5、× 6、×

  三、選擇題

  1、C 2、B 3、C 4、B 5、C 6、A 7、C

  四、問答題

  1、 答:(1)N型鍺材料普通二極管;(2)N型鍺材料開關(guān)二極管;(3)N型硅材料整流二極管; (4)N型硅材料穩(wěn)壓二極管;

  2、 答:不能,因?yàn)?.5伏的的干電池會(huì)使流過二極管的電流很大,可能燒壞二極管。

  3、答:使用萬用表的R×100Ω或R×1KΩ檔測二極管的正反向電阻值,比較兩次測量結(jié)果,其中電阻值小的那次測試中黑表筆所接被測二極管的引線為正極,紅表筆所接被測二極管的引線為負(fù)極。若測量正向電阻時(shí),表針指示在中間或中間偏右處,即為硅二極管;表針指示偏到接近0Ω處,即為鍺二極管。若測量正反向電阻時(shí),正向電阻和反向電阻均較小的二極管,其已短路損壞;正向電阻和反向電阻均很大的二極管,其已開路損壞。

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